Tema 3: Componentes electrónicos. El diodo semiconductor

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3.1 Principio de funcionamiento

Bandas de energía

Un cristal es una ordenación regular de átomos repetida en tres dimensiones. Al juntarse los átomos:

  • Solo cambian los niveles de energía de los electrones de la capa exterior.
  • Esos niveles se agrupan en bandas de estados de energía muy próximos entre sí.
  • Banda de valencia (energías bajas): electrones ligados a los átomos, que forman los enlaces.
  • Banda de conducción (energías altas): electrones que se mueven libremente por el cristal y permiten conducir.
  • Entre las dos queda la banda prohibida, de anchura EgE_g (gap).

Ejemplo con el carbono: la misma sustancia puede ser diamante (cúbico, transparente, duro y aislante) o grafito (hexagonal, negro, blando y conductor). Lo que cambia es la ordenación de los átomos y, con ella, las bandas.

MaterialEgE_gTemperatura
Aislante5 a 10 eV—
Semiconductor0,5 a 2 eVA más temperatura, mejor conduce
ConductorNo hay (las bandas se solapan)A menos temperatura, mejor conduce

Materiales semiconductores

  • Elementales: silicio (Si) y germanio (Ge), con 4 electrones en la última capa.
  • Compuestos IV: SiC, SiGe.
  • Compuestos III-V: binarios (GaAs, GaP, InP…), ternarios (GaAsP, AlGaAs), cuaternarios (InGaAsP).
  • Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, CdS, CdTe…

Semiconductores extrínsecos (dopados)

Se añaden impurezas de forma controlada, por difusión o implantación iónica:

Tipo PTipo N
DopanteGrupo III (3 e⁻: B, Al, Ga, In)Grupo V (5 e⁻: As, Sb, Bi)
Portadores mayoritariosHuecosElectrones libres
MinoritariosPocos electronesPocos huecos
Iones fijos en el cristalNegativosPositivos

Truco para recordarlo: P de positivo (sobran huecos) y N de negativo (sobran electrones).

La unión PN

Un semiconductor solo, P o N, sirve de poco. Lo interesante aparece al unir uno P y uno N, y de ahí salen todos los dispositivos:

  • 1 unión PN → diodos (zéner, LED, Schottky, fotodiodo…).
  • 2 uniones → transistores (bipolar, JFET, MOSFET, fototransistor…).
  • Varias uniones → tiristores (SCR, TRIAC, DIAC…).
  • Asociaciones: optoacopladores, displays, puentes rectificadores… y los circuitos integrados.

En la unión se forma una zona de transición. La zona P es el ánodo y la N el cátodo. (La descubrió por accidente Russell Ohl en los laboratorios Bell, en 1940.)

  • Polarización directa (ánodo más positivo que el cátodo): huecos y electrones invaden la zona de transición y la estrechan. Circula una corriente de mayoritarios que puede ser grande.
  • Polarización inversa (cátodo más positivo): los portadores se alejan y la zona se ensancha. Solo circula una corriente de minoritarios muy pequeña, idealmente nula.

3.2 Curva característica del diodo

Diodo ideal:

  • Si id>0i_d > 0: conduce y se comporta como un cortocircuito (ud=0u_d = 0).
  • Si ud<0u_d < 0: bloquea y se comporta como un circuito abierto (id=0i_d = 0).

Diodo real frente al ideal:

  • En bloqueo, casi ideal: circula una corriente de fugas pequeñísima.
  • En conducción, no es un corto perfecto: hay una pequeña caída de tensión.
  • El paso de conducción a bloqueo es rápido, pero no instantáneo.
  • Su curva es no lineal.

Parámetros de hoja de características (ejemplo de la diapositiva):

ParámetroSímboloEjemplo
Tensión inversa máxima (ruptura por avalancha)VRV_R100 V
Corriente directa máxima (límite térmico)IF MAXI_{F\,MAX}150 mA
Caída de tensión directaVFV_F1 V
Corriente inversaIRI_R25 nA

Modelos linealizados

Como la curva real es no lineal, se aproxima por tramos rectos. Se elige el modelo según la precisión que haga falta:

ModeloEn conducciónEn bloqueo
1. Ideal (el más simple)Corto: ud=0u_d = 0Abierto: id=0i_d = 0
2. Tensión de codoFuente VγV_\gamma: ud=Vγu_d = V_\gamma (Si ≈ 0,6 V, Ge ≈ 0,3 V)Abierto
3. Codo + resistencia dinámica (el más completo)ud=Vγ+rd idu_d = V_\gamma + r_d\,i_dAbierto

La resistencia dinámica es rd=1tan⁡αr_d = \dfrac{1}{\tan\alpha}, la inversa de la pendiente del tramo de conducción.

Estrategias de análisis

En todos los ejemplos siguientes: resistencia de 1 kΩ y diodo en serie, con el ánodo a la izquierda. La vv del diodo se mide como v=Vaˊnodo−Vcaˊtodov = V_{ánodo} - V_{cátodo} y la ii va de izquierda a derecha, de ánodo a cátodo.

Ejemplo 1: fuente de 5 V a la izquierda, 15 V a la derecha (diodo ideal)

  • Suposición: bloquea, luego i=0i = 0.
  • Sin corriente no cae tensión en la resistencia, así que el diodo soporta toda la diferencia: v=5−15=−10v = 5 - 15 = -10 V.
  • Comprobación: v=−10 V<0v = -10\text{ V} < 0 ✔. Coherente.

Resultado: i=0i = 0, v=−10v = -10 V (diodo en bloqueo).

Ejemplo 2: fuente de 15 V a la izquierda, 5 V a la derecha

Malla: 15−1 000⋅i−v−5=0  ⇒  i=10−v1 00015 - 1\,000\cdot i - v - 5 = 0 \;\Rightarrow\; i = \dfrac{10 - v}{1\,000}.

  1. Diodo ideal (v=0v = 0): i=101k=10i = \dfrac{10}{1\text{k}} = 10 mA. Como i>0i>0 ✔, v=0v = 0 V.
  2. Caída de 0,6 V (v=0,6v = 0{,}6): i=10−0,61k=9,4i = \dfrac{10 - 0{,}6}{1\text{k}} = 9{,}4 mA ✔, v=0,6v = 0{,}6 V.
  3. 0,6 V y rd=0,1r_d = 0{,}1 Ω (v=0,6+0,1 iv = 0{,}6 + 0{,}1\,i):
i=10−0,61 000+0,1=9,399 mAv=0,6+0,1⋅9,399⋅10−3≈0,6009 Vi = \frac{10 - 0{,}6}{1\,000 + 0{,}1} = 9{,}399\ \text{mA} \qquad v = 0{,}6 + 0{,}1\cdot 9{,}399\cdot10^{-3} \approx 0{,}6009\ \text{V}

Conclusión: con 1 kΩ en serie, rdr_d no influye casi nada. Pasar del modelo ideal al de 0,6 V cambia un 6 %; añadir rdr_d cambia un 0,001 %. Normalmente basta con el modelo 2.

Ejemplo 3: mismo circuito, resolución gráfica

La curva del diodo se da dibujada: conduce a partir de unos 0,6 V y llega a unos 10 mA cerca de 1 V.

Recta de carga: i=10−v1 kΩi = \dfrac{10 - v}{1\text{ k}\Omega}.

  • En vacío (i=0i=0): v=10v = 10 V.
  • En cortocircuito (v=0v=0): i=10i = 10 mA.

Es una recta casi horizontal, que baja de 10 mA en v=0v=0 a 0 en v=10v=10 V. Corta la subida brusca de la curva del diodo poco antes de 1 V:

Punto de funcionamiento: VP≈0,9V_P \approx 0{,}9 V, IP≈9,1I_P \approx 9{,}1 mA. Casi lo mismo que con el modelo de 0,6 V.


3.3 Tipos de diodos

Diodo zéner

  • En directa: funciona como un diodo normal.
  • En inversa: también conduce, pero a partir de una tensión de codo mucho mayor, la tensión zéner VzV_z. En esa zona mantiene VzV_z casi constante aunque varíe la corriente.
  • Modelo más simple, con la tensión referida al zéner (uz=Vcaˊtodo−Vaˊnodou_z = V_{cátodo} - V_{ánodo}):
    • uz<Vzu_z < V_z: circuito abierto.
    • Conduciendo en inversa: fuente de tensión VzV_z.
    • En directa: diodo normal.

Ejemplo 4: zéner de 5 V, fuente de 5 V a la izquierda y 15 V a la derecha

  • En zona zéner, v=Vaˊnodo−Vcaˊtodo=−5v = V_{ánodo} - V_{cátodo} = -5 V.
  • Malla: 5−1 000⋅i−v=15  ⇒  5−1 000 i+5=15  ⇒  i=−55 - 1\,000\cdot i - v = 15 \;\Rightarrow\; 5 - 1\,000\,i + 5 = 15 \;\Rightarrow\; i = -5 mA.
  • Comprobación: la corriente sale negativa, es decir, circula de derecha a izquierda (de cátodo a ánodo). Es justo el sentido de conducción en zona zéner ✔.

Resultado: v=−5v = -5 V, i=−5i = -5 mA (5 mA de cátodo a ánodo).

LED (diodo emisor de luz)

  • Hecho de un compuesto III-V (p. ej. GaAs). Polarizado en directa, emite fotones de una longitud de onda concreta: el color.
  • Su tensión de codo no se puede despreciar: entre 1,5 y 2 V, según el color.
  • Corriente media típica: 10 mA. Siempre se pone con una resistencia en serie que la limite.
  • Display de 7 segmentos: 7 LEDs (a–g) con el cátodo común o el ánodo común.

Fotodiodo

  • Compuesto III-V que, polarizado en inversa, deja pasar una corriente proporcional a la luz que recibe: I=f(luz)I = f(\text{luz}).
  • Aplicaciones: sensores de luz (fotómetros), comunicaciones ópticas… y, trabajando en el cuadrante que entrega potencia, como célula solar (paneles solares).

Otros diodos

  • Láser: parecido al LED, pero solo emite como láser a partir de una corriente umbral (típicamente de 10 a 100 mA).
  • Schottky: unión metal–semiconductor N. Muy rápido y con poca caída (~0,2 V). Se usa en electrónica digital.
  • Otros: varicap, diodo túnel…

3.4 Circuitos con diodos y aplicaciones

Rectificador de media onda

Fuente ueu_e, diodo y resistencia de carga RLR_L en serie; la salida uSu_S se toma en RLR_L. Con diodo ideal:

  • ue>0u_e > 0: el diodo conduce, uS=ueu_S = u_e.
  • ue<0u_e < 0: el diodo bloquea, uS=0u_S = 0.

Solo pasan los semiciclos positivos.

Rectificador de onda completa

  • ue>0⇒uS=ueu_e > 0 \Rightarrow u_S = u_e.
  • ue<0⇒uS=−ueu_e < 0 \Rightarrow u_S = -u_e.

La salida es ∣ue∣|u_e|: los semiciclos negativos se "dan la vuelta".

  • Puente de diodos (4 diodos): en cada semiciclo conducen dos diodos en diagonal, y la corriente atraviesa RLR_L siempre en el mismo sentido. Con diodos reales se pierden 2Vγ2V_\gamma, porque hay dos diodos en el camino.
  • Valor medio =2Umπ≈0,637 Um= \dfrac{2U_m}{\pi} \approx 0{,}637\,U_m (el doble que en media onda). Eficaz =Um2= \dfrac{U_m}{\sqrt 2} (como la senoidal completa).

Regulador zéner

Fuente uEu_E → resistencia RSR_S → zéner DzD_z en paralelo con la carga RLR_L (variable). La salida es uSu_S.

Condición para que el zéner regule (demostración):

Sin el zéner, RSR_S y RLR_L forman un divisor de tensión:

uS′=uE⋅RLRS+RLu_S' = u_E\cdot\frac{R_L}{R_S + R_L}

El zéner está en paralelo con RLR_L, así que ve esa tensión en inversa. Entra en zona zéner (y fija uS=Vzu_S = V_z) si y solo si:

uE⋅RLRS+RL>Vz■u_E\cdot\frac{R_L}{R_S + R_L} > V_z \qquad \blacksquare

En ese caso: iRS=uE−VzRSi_{R_S} = \dfrac{u_E - V_z}{R_S},   iS=VzRL\;i_S = \dfrac{V_z}{R_L} y   iz=iRS−iS\;i_z = i_{R_S} - i_S.

  • Si RL→0R_L \to 0 (cortocircuito en la salida): RLRS+RL→0\dfrac{R_L}{R_S+R_L} \to 0, así que no se cumple la condición. El zéner deja de regular y uS→0u_S \to 0. Toda la corriente uE/RSu_E/R_S va por el corto; RSR_S protege la fuente.
  • Si RL→∞R_L \to \infty (sin carga): RLRS+RL→1\dfrac{R_L}{R_S+R_L} \to 1 y la condición queda uE>Vzu_E > V_z. El zéner regula y toda la corriente uE−VzRS\dfrac{u_E - V_z}{R_S} pasa por él. Es el peor caso para el zéner: hay que comprobar que Vz⋅izV_z \cdot i_z no supera su potencia máxima.